三星是一家世界著名的半导体晶圆制造商，不过从7nm制程开始，三星的制程工艺似乎与台积电相比有一定的差距了，特别是5nm以及4nm制程更是如此，无论是英伟达还是高通，采用三星制程工艺似乎并没有在功耗以及性能之间取得很好的平衡。于是三星这一次宣布将会量产3nm制程工艺，在功耗、性能上均有比较大的提升，希望能够借助该工艺实现翻身。

三星已经宣布成功量产3nm制程工艺的芯片，而这也是全球首款采用3nm制程工艺的芯片，而目前台积电最新的制程工艺为4nm，也就是说三星在制程上似乎力压台积电。与之前相比，三星的3nm制程已经放弃了FinFET，而是采用GAA工艺，这也是三星首次采用这项工艺。相比较目前的5nm制程工艺，三星称全新的3nm制程工艺能够有效地降低功耗大约45%，芯片面积也可以降低16%，同时性能提升23%。

不过过去三星一直都是在放卫星，而且据悉在晶体管密度上，相同制程下三星似乎要落后台积电不少，不知道在3nm时代，三星能否紧跟台积电脚步，在制程性能上不落下风。